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Opnext fabrica diodos láser infrarrojos de GaAlAs con estructura de pozos cuánticos múltiples (MQW), guiados por índice, en un rango de longitud de onda infrarroja de 705 a 860 nm y con potencia de salida de hasta 50 mW.
Los diodos láser infrarrojos de Opnext están disponibles en encapsulados de 5,6 mm, 9 mm y con configuración de patillas de tipo N o P.
All Opnext laser diodes are registered with the FDA of the United States and each laser diode is classified into class II, IIIa, or IIIb according to the combination of the optical output power and wavelength values.
Diodos rojos (visibles) de
635 nm Diodos rojos (visibles) de 650 nm
Diodos rojos (visibles) de 658
nm Diodos rojos (visibles) de 670 nm
Diodos rojos (visibles) de 690
nm
| N.º de producto | Longitud de onda | Potencia | Encapsulado | Tipo de patilla | Hoja de datos | Directiva RoHS |
Solicitar información |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HL7001MG | 705nm | 40mW | 5.6mm | 3P |  |
Disponible | correo electrónico |
| HL7002MG | 705nm | 40mW | 5.6mm | 1N | |
Disponible | correo electrónico |
| HL7851G | 785nm | 50mW | 9mm | 1N | |
Disponible | correo electrónico |
| HL8325G | 830nm | 40mW | 9mm | 3P | |
Disponible | correo electrónico |
| HL8333G | 820-840nm | 40mW | 9mm | 1N | |
Disponible | correo electrónico |
| HL8334MG | 820-840nm | 40mW | 5.6mm | 1N | |
Disponible | correo electrónico |
| HL8335MG | 840-860nm | 40mW | 5.6mm | 1N | |
Disponible | correo electrónico |
| HL8337MG | 830nm | 50mW | 5.6mm | 1N | |
Disponible | correo electrónico |
| HL8338MG | 830nm | 50mW | 5.6mm | 3P | |
Disponible | correo electrónico |
| HL8340MG | 850nm | 50mW | 5.6mm | 1N | |
Disponible | correo electrónico |
| HL8341MG | 850nm | 50mW | 5.6mm | 3P | |
Disponible | correo electrónico |
| HL8342MG | 850nm | 50mW | 5.6mm | 1N | |
Disponible | correo electrónico |
| HL8343MG | 850nm | 50mW | 5.6mm | 3P | |
Disponible | correo electrónico |
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